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半导体团簇由于其在微电子工业的应用倍受人们关注;而过渡金属搀杂在半导体Si和Ge材料形成不同于原来材料性质的新材料,因此引起了物理化学界的广泛关注和兴趣[1-9].
过渡金属Ag、Ir和Re搀杂硅半导体团簇的电子结构和性质的理论研究
【摘 要】
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半导体团簇由于其在微电子工业的应用倍受人们关注;而过渡金属搀杂在半导体Si和Ge材料形成不同于原来材料性质的新材料,因此引起了物理化学界的广泛关注和兴趣[1-9].
【机 构】
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中国科学技术大学国家同步辐射实验室
【出 处】
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科学技术与工程
【发表日期】
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2003年3期
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