【摘 要】
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采用中频感应提拉法生长了尺寸为Ф65mm×200mm的Ce：YSO闪烁晶体。通过生长不同掺杂浓度的Ce：YSO晶体,并根据相应的测试结果确定了合适的掺杂比例,进一步研究不同工艺参数
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十六研究所
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采用中频感应提拉法生长了尺寸为Ф65mm×200mm的Ce：YSO闪烁晶体。通过生长不同掺杂浓度的Ce：YSO晶体,并根据相应的测试结果确定了合适的掺杂比例,进一步研究不同工艺参数对晶体发光均匀性的影响。实验结果表明,当铈离子掺杂浓度为0.16%、二氧化硅补偿浓度为0.10%、结晶分数为60%时,晶体发光强度及发光均匀性最佳,调整工艺参数有利于降低晶体发光不均匀性,但降低效果有限。此外,测试了晶体的脉冲高度谱和脉冲形状谱,Ce：YSO晶体的能量分辨率为7.20%@662keV,衰减时间约为52n
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