【摘 要】
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以多孔硅作为绝热层材料,采用超高真空对靶磁控溅射镀膜法,在多孔硅样品表面和硅基底表面沉积氧化钒薄膜.实验采用电化学腐蚀法制备多孔硅,利用场致发射扫描电子显微镜观测了孔隙率为50％,60％,70％三个多孔硅样品的微观形貌.利用显微喇曼光谱法测量其热导率,分别为8.16,7.28和0.624W/mK;利用纳米压入仪测量氧化钒薄膜的显微硬度和杨氏模量,测得沉积在孔隙率为50％,60％,70％的多孔硅基底
【机 构】
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天津大学,电子信息工程学院,天津,300072
【出 处】
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第十届全国敏感元件与传感器学术会议
论文部分内容阅读
以多孔硅作为绝热层材料,采用超高真空对靶磁控溅射镀膜法,在多孔硅样品表面和硅基底表面沉积氧化钒薄膜.实验采用电化学腐蚀法制备多孔硅,利用场致发射扫描电子显微镜观测了孔隙率为50％,60％,70％三个多孔硅样品的微观形貌.利用显微喇曼光谱法测量其热导率,分别为8.16,7.28和0.624W/mK;利用纳米压入仪测量氧化钒薄膜的显微硬度和杨氏模量,测得沉积在孔隙率为50％,60％,70％的多孔硅基底上氧化钒薄膜的显微硬度分别为1.917,0.928和0.13 GPa,杨氏模量分别为31.087,16.921和2.285 GPa,而沉积在单晶硅基底的氧化钒薄膜的显微硬度和杨氏模量分别为10.919 GPa和193.792 GPa,并分析了微观结构差异对多孔硅绝热性能和机械性能的影响,为非制冷红外探测器的工艺制作过程提供一定的热学力学参数.
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