P—n结电场分布的一种解析法

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huhaiyan1953
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文发展一种求解泊松方程解的电势与电场的超定方程组的新方法,获得p—n结非对称圆柱解下的圆柱结与平面结相匹配的电势与电场分布及椭圆圆柱解下两者相统一的电场分布公式。将两种解与迄今常用的对称圆柱解进行了比较,发现前者更符合实际。
其他文献
给出了基于SOI晶片、带隙中心位于1 550 nm的光子带隙材料及光子晶体波导器件的设计方法.采用基于超原胞的平面波展开法和基于完美匹配层边界条件的三维时域有限差分法,对二
试验旨在通过在教槽料和保育料中添加血红素蛋白和水解珠蛋白,研究其在断奶仔猪上的补血效果和对仔猪生长的影响,评价其应用前景。选用(22±1)日龄(杜×长×大)
3月22日,多家银行在同一天发布了小额免密客户告知函:针对央视“3·15晚会”提出的关于小额免密功能的开通与关闭疑问,多家银行表示,将尽快提供更为丰富的关闭和恢复开通
通过大剂量氧离子注入(150key,2×10~(18)O~+/cm~2)及高温退火(1100℃,8h)便可形成质量较好的SIMOX结构。本文报道了制备在硅膜厚度为160nm的SIMOX结构上的短沟道CMOS/SI
2000年4月5日,张某到李某处玩耍,李某毒瘾发作,将1000元钱交给张某,哀求张某为其购买海洛因。张某用这笔钱从牛某处购得海洛因6克交给李某,李某除自己吸食外,把海洛因分成若干小包
我们对MBE高掺杂的n-GaAs∶Si和p-GaAs∶Be进行了光致发光研究,详细比较了高掺杂n-GaAs和p-GaAs在光谱线型,峰值半宽,峰值位置等方面的差异,以及两者的发光与温度的关系.由分
用Raman光谱测量了高剂量B~+注入后,经不同激光功率退火的SOM上的硅膜.硅膜的晶化和杂质的激活,在光谱上得到充分的反映.满足临界条件的激光退火工艺,可使SOM达到制作压敏器
非法证据排除规则在美国证据法中是最具争议性的证据规则之一,自从1914年美国联邦最高法院在威克斯诉合众国一案中确立该规则以来,围绕这一规则所产生的争议就接连不断.争议
信不信由你,贪官常常是比出来的.一是比升迁速度.许多干部的腐败往往是从贪图官位开始的.对任何一个人来讲,求上进本是件无可非议的事,官员也不例外.然而随着干部选拔任用标
用超声声空化与脉冲电化学腐蚀相结合的物理化学综合法在不同的温度下制备多孔硅样品.所测得的样品的光致发光谱曲线表明,将腐蚀槽置于超声器中用脉冲电化学腐蚀方法制备的多