【摘 要】
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采用溶胶凝胶法制备了ZnO:Ga(GZO)透明导电薄膜,并用做GaN基LED的电流扩散层。研究表明,GZO薄膜为多晶薄膜,透光率大于80%,粗糙度为Ra 4.6nm,制备的LED的开启电压为2.4V,并成
【机 构】
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上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海大学材料科学与工程学院,浙江大学 硅材料国家重点实验室,
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采用溶胶凝胶法制备了ZnO:Ga(GZO)透明导电薄膜,并用做GaN基LED的电流扩散层。研究表明,GZO薄膜为多晶薄膜,透光率大于80%,粗糙度为Ra 4.6nm,制备的LED的开启电压为2.4V,并成功的点亮LED芯片。
A ZnO: Ga (GZO) transparent conductive film was prepared by sol-gel method and used as the current diffusion layer of GaN-based LED. The results show that the GZO thin film is polycrystalline thin film, the transmittance is more than 80%, the roughness is Ra 4.6nm, the turn-on voltage of the prepared LED is 2.4V, and the LED chip is successfully lit up.
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