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基于垂直外腔面发射半导体激光器窗口散热模式的传热模型，用有限元法计算了不同条件下量子阱有源区的温度变化，建立了量子阱最高温度的等效热阻模型和计算公式，并通过拟合确定了热阻模型的相关参数．计算表明量子阱最高温度与抽运功率存在线性关系，与光斑面积近反比关系，窗口散热片可显著降低量子阱有源区温度和温度的不均匀度．等效热阻模型表明由于半导体晶片内热流在径向难以扩散，热传导中存在较大串联热阻，使得散热片热扩散能力趋于饱和，其中碳化硅的散热性能约为金刚石的75％．