【摘 要】
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在不同的W靶溅射功率下,用反应磁控溅射法在载玻片上制备了TiO2:W薄膜,并对样品进行了XRD,STS和UV-V is分析.结果表明试样为非晶态;W靶溅射功率为30 W时,带隙为2.75eV;W靶溅
【机 构】
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重庆大学材料科学与工程学院,重庆大学材料科学与工程学院 重庆400045,重庆400045
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在不同的W靶溅射功率下,用反应磁控溅射法在载玻片上制备了TiO2:W薄膜,并对样品进行了XRD,STS和UV-V is分析.结果表明试样为非晶态;W靶溅射功率为30 W时,带隙为2.75eV;W靶溅射功率为100 W时,带隙为3.02 eV;W靶溅射功率为150 W时,带隙能为2.92 eV.STS分析结果表明,在样品的禁带中产生了新的能级,能级宽度为0.83 eV.
At different W target sputtering powers, TiO2: W films were prepared on glass slides by reactive magnetron sputtering, and the samples were analyzed by XRD, STS and UV-V is. The results showed that the samples were amorphous State band gap of 2.75 eV at a target sputtering power of 30 W and a band gap of 3.02 eV at a target sputtering power of 100 W and a bandgap energy of 2.92 eV at a target sputtering power of 150 W The results of STS analysis showed that a new energy level was generated in the forbidden band of the sample with an energy level width of 0.83 eV.
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