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采用连通式双反应室高温MOCVD系统在Si衬底上外延ZnO薄膜，通过卢瑟福背散射／沟道（RBS／C）及高分辨X射线衍射（HR-XRD）技术对不同衬底条件的ZnO外延膜进行了组分及结构分析，结果表明在采用SiC缓冲层后，Si（111）衬底上ZnO（0002）面衍射峰半高宽明显减小，缺陷密度降低，单晶质量显著变好，C轴方向应变由0．49％变为-0．16％，即由拉应变变为压应变且应变值变小，说明SiC缓冲层可以有效地减小ZnO与Si衬底晶格失配带来的应变，改善外延膜质量，实现Si衬底上单晶ZnO的生长。