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提出一个精确萃取MOSFET漏源寄生电阻及有效沟道长度等参数的方法.这些参数的确定对于器件特性的模拟、分析以及对于生产工艺的监控具有实际意义.该方法采用一组特定的测试器件并使用计算机程序辅助来进行参数的萃取.使用萃取到的参数计算器件的漏电流特性并将其与实测数据进行比较,结果表明两者相符很好.
MOSFET漏源寄生电阻及有效沟道长度的萃取方法
【摘 要】
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提出一个精确萃取MOSFET漏源寄生电阻及有效沟道长度等参数的方法.这些参数的确定对于器件特性的模拟、分析以及对于生产工艺的监控具有实际意义.该方法采用一组特定的测试器
【机 构】
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上海科学技术大学
【出 处】
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应用科学学报
【发表日期】
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1990年3期
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