GaN基宽带隙半导体光发射器件

来源 :世界产品与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hengtonggss

【摘要】

：

<正> 八十年代末期,随着GaN材料生长和掺杂等关键技术的突破,尤其是1993年12月,在光电子领域名不经传的日本日亚化学工业公司在世界上首次展示了高亮度GaN蓝光LED,引起了轰动

【作者】

：

何兴仁

【机构】

：

信息产业电子44所

【出处】

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世界产品与技术

【发表日期】

：

2000年3期

【关键词】

：

GaN LED 晶格缺陷半导体光发射器件有源层宽带隙

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<正> 八十年代末期,随着GaN材料生长和掺杂等关键技术的突破,尤其是1993年12月,在光电子领域名不经传的日本日亚化学工业公司在世界上首次展示了高亮度GaN蓝光LED,引起了轰动。1995年,该公司又以InGaN量子阱结构报道了高亮度蓝-绿光LED。这些光源与以前的AllnGaP系红光LED组合实现了三原色

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