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采用高能球磨的方法制备了ZnO和添加物（MnO，Sb2O3，CoO，Cr2O3，Bi2O3）的前驱超细粉体．采用固相反应烧结技术在1140℃进行2h烧结制备出ZnO陶瓷变阻器。用SEM．XRD研究了不同退火温度对ZnO压敏陶瓷的显微形貌、相结构，伏安非线性特性和微观电性能的影响。从阻抗分析．激活能和介电损耗与频谱关系分析证明了600-800℃热处理时晶界由于β—Bi2O3向γ-Bi2O3的相变引起的体积膨胀而变宽，导致晶界电子陷阱浓度降低，从而使得势垒高度下降．漏电流增加。