【摘 要】
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为了防止芯片过热,文章提出了两种温度检测技术：利用PTAT电流的正温度特性或利用PN结的负温度特性.在此基础上,设计出一种低功耗、具有迟滞功能的热关断电路：电路结构非常紧凑,
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为了防止芯片过热,文章提出了两种温度检测技术：利用PTAT电流的正温度特性或利用PN结的负温度特性.在此基础上,设计出一种低功耗、具有迟滞功能的热关断电路：电路结构非常紧凑,采用1.5μm的P衬N阱数模混合1P2M BiCMOS工艺.Hspice仿真结果表明：当温度超过150℃时,电路输出发生翻转,禁止芯片工作;当温度降至115℃时,恢复芯片工作.该电路的最大工作电流不超过150μA,能很好地抑制由于电源电压和工艺参数变化造成的热关断阈值点的漂移,适用于各种电源管理芯片.
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