【摘 要】
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本文以氮化硅（Si3N4）和氧化铪（HfO2）为原料,在N2气氛条件下于1700℃直接热处理合成了大量的Si3N4纳米带。采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）等方法对样品的物相、微观
【机 构】
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广西大学化学化工学院,海南大学材料与化工学院,海南大学热带岛屿资源先进材料教育部重点实验室
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本文以氮化硅（Si3N4）和氧化铪（HfO2）为原料,在N2气氛条件下于1700℃直接热处理合成了大量的Si3N4纳米带。采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）等方法对样品的物相、微观结构进行了表征。结果表明：合成的Si3N4纳米带厚约50 nm,长达数百微米,纯度高且结晶好。纳米带沿α-Si3N4的[201]方向生长,属于气-固（VS）生长机制。Si3N4纳米带在360-496 nm范围内具有较强的发射峰,表明所合成的Si3N4纳米带具有优异的光致发光性质,在光电纳米器件中具有
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