【摘 要】
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用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu-n(n是团簇原子个数)团簇束 ,当团簇束分别在偏压为:0,1,3,5,10 kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的 P型Si(111)衬底上,获得C
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院现代物理系,兰州大学物理科学与技术学院现代物理系,中国科学院核分析技术研究重点实验室
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用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu-n(n是团簇原子个数)团簇束 ,当团簇束分别在偏压为:0,1,3,5,10 kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的 P型Si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品.用X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜,结果表明:薄膜本身不含C和O等杂质;当Cu/P-Si(111)样品暴露在空气中时,样品表面会氧化和碳污染,铜的特征电子峰几乎被湮没.用能量3 keV流强为4～6 μA/cm2*!Ar+束, 预溅射处理样品表面后,用XPS分析,常规磁控溅射室温下
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