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本文利用分子束外延（MBE）生长的多量子阱（MQW）晶片，通过二氧化硅（SiO2）掩模、Zn扩散等一系列工艺，实现十条增益导引激光器销相列阵。实验中观察到列阵器件远场图形呈双瓣状，单面连续最大输出功率为35mw，阈值电流为44mA，在脉冲状态下测得中心波长为7910。
多量子阱（MQW）增益导引锁相列阵激光器
【摘 要】
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本文利用分子束外延（MBE）生长的多量子阱（MQW）晶片，通过二氧化硅（SiO2）掩模、Zn扩散等一系列工艺，实现十条增益导引激光器销相列阵。实验中观察到列阵器件远场图形呈双瓣状，单面连续最
【出 处】
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长春光学精密机械学院学报
【发表日期】
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1994年4期
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