【摘 要】
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电源设计者们仿佛正在目睹一个新的半导体技术的诞生。随之而来的新一代功率半导体器件远远优于现有的硅技术。SiC 材料可以让器件具有迄今为止设计工程师们梦寐以求却不能得
【机 构】
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Technology Dynamics Inc.
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电源设计者们仿佛正在目睹一个新的半导体技术的诞生。随之而来的新一代功率半导体器件远远优于现有的硅技术。SiC 材料可以让器件具有迄今为止设计工程师们梦寐以求却不能得到的出色特性。其最重要的优点包括以下几个方面：:工作结温高达225 ℃，而相应的漏电流只有适度的增加
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