互补横向绝缘栅双极晶体管的模型与特性

• 作 者: 李肇基 王国新
• 出 处: 电子学报
• 发表日期: 1992年11期
• 关键词: 双极晶体管 模型 特性 互补绝缘栅 Complementary lateral insulated-gate bipolar transistor Ambip
• 基金项目: 国家自然科学基金

本文提出互补横向绝缘栅双极晶体管CLIGBT的一种网络模型.根据双极传输理论,考虑电导调制效应、闭锁效应、反向注入及电流的多维效应,导出一种漂移宽基区双极—MOS器件的电路网络模型.首次将此模型直接嵌入SPICE3A.7中.计算CLIGBT在不同栅压和横向电阻下的静态闭锁特性及在不同漂移区长度和不同PMOS宽长比下的瞬态闭锁特性.由此可解决含有CL-lGBT等BIMOS类器件的高压集成电路HVIC的设计问题.