【摘 要】
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美国 Gould 已经宣布首次大规模生产出低噪声、高电子迁移率晶体管。这种器件使用砷化镓和铝镓砷化物的“超晶格”结构,允许增高工作频率至18GHz。这个频率比习用砷化镓器件
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美国 Gould 已经宣布首次大规模生产出低噪声、高电子迁移率晶体管。这种器件使用砷化镓和铝镓砷化物的“超晶格”结构,允许增高工作频率至18GHz。这个频率比习用砷化镓器件的高3倍,比普通硅晶体管高10倍。命名为 H503的这种器件是用以代替在卫星、雷达和电子战用的微波部件中的砷化镓场效应晶体管。
The United States Gould has announced the first large-scale production of low-noise, high electron mobility transistor. This device uses a “superlattice” structure of gallium arsenide and aluminum gallium arsenide, allowing increased operating frequencies up to 18 GHz. This frequency is 3 times higher than the conventional gallium arsenide devices, 10 times higher than ordinary silicon transistors. The device, named H503, is a gallium arsenide field-effect transistor used to replace microwave components used in satellites, radars and electronic warfare.
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