【摘 要】
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用改进了的射频溅射仪,在GaAs/GaAlAs DH面发光管的窗口上沉积一层厚度近于λ/4的Al_2O_3抗反射层后,其输出光功率增高了30—66％。而在相同涂层条件下,退化发光管输出光功率的
【机 构】
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中国科学院上海冶金所,中国科学院上海冶金所
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用改进了的射频溅射仪,在GaAs/GaAlAs DH面发光管的窗口上沉积一层厚度近于λ/4的Al_2O_3抗反射层后,其输出光功率增高了30—66％。而在相同涂层条件下,退化发光管输出光功率的提高则不到30％,这可能与其体内形成缺陷有关。
With the improved RF sputter, a layer of Al 2 O 3 antireflection layer with a thickness near λ / 4 was deposited on the window of GaAs / GaAlAs DH LED, the output optical power increased by 30-66%. Under the same coating conditions, the output power of the degraded LED is less than 30%, which may be related to the formation of defects in the body.
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