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互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路内部器件缩放技术使其面临严重静电放电(ESD)威胁,当前采用静电放电保护电路,实际能力有限。本文先分析了静电放电保护器件工作特性与相关参数,随后,着重探讨了互补金属氧化物半导体集成电路静电放电保护技术设计、优化,根据测试结果判断应用效果。
CMOS集成电路ESD保护技术分析
【摘 要】
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互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路内部器件缩放技术使其面临严重静电放电(ESD)威胁,当前采用静电放电保护电路,实际能力有限。本文先分析了静电放电保护器件工作特性与相
【机 构】
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成都华微电子科技有限公司
【出 处】
：
科学与信息化
【发表日期】
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2020年26期
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