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美国伯克利加州大学科学家，在非平面GaAs结构上选择性生长氧化AlGaAs，制成掩埋型氧化物光栅。实验巾，他们用光刻技术在基板上形成花样并蚀刻出125到500nm深沟。在沉积室中生长出元件后．使AlGaAs层曝光确定脊状波导结构。氧化后，形成锯齿形氧化物表面．其周期为原始光刻定义的螺距之半。
沉积形成掩埋型光栅
【摘 要】
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美国伯克利加州大学科学家，在非平面GaAs结构上选择性生长氧化AlGaAs，制成掩埋型氧化物光栅。实验巾，他们用光刻技术在基板上形成花样并蚀刻出125到500nm深沟。在沉积室中生长出
【出 处】
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激光与光电子学进展
【发表日期】
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2003年9期
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