【摘 要】
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研究表明,在水蒸汽中先在高温(1100℃)后在低温(900℃)热生长的SiO_2,和全部在900℃生长的SiO_2一样,同样减小了对辐照的敏感性。另外,在氧化物覆盖台面结构的MOS电容上,测量
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研究表明,在水蒸汽中先在高温(1100℃)后在低温(900℃)热生长的SiO_2,和全部在900℃生长的SiO_2一样,同样减小了对辐照的敏感性。另外,在氧化物覆盖台面结构的MOS电容上,测量氧化物击穿电压和Fowler—Nordheim电流表明,高/低温工艺生长的氧化物具有优良的完整性,比全部在低温生长的氧化物好。这个结果适用于要求低辐照敏感性的任何MOS器件中的有棱结构。
It has been shown that SiO 2, which is thermally grown at low temperature (900 ° C) in water vapor first at high temperature (1100 ° C), like SiO 2 grown at 900 ° C, also reduces the sensitivity to irradiation. In addition, measuring the oxide breakdown voltage and the Fowler-Nordheim current on oxide-covered mesa structures shows that oxides grown in high / low temperature processes have excellent integrity and are better than all oxides grown at low temperatures. This result applies to the ribbed structure in any MOS device that requires low radiation sensitivity.
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