【摘 要】
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1.8GHz下功率密度为2.8W/mm的4H-SiCMESFET据《IEEEE.D.L.》第15卷第10期报道,CharlesE.Weitzel等已研制成一种4H-SiCMESFET。采用4H-SiC是由于它比6H-SiC高出两倍的电子迁移率。器件的...
4H-SiCMESFET with a Power Density of 2.8 W / mm at 1.8 GHz Accord
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1.8GHz下功率密度为2.8W/mm的4H-SiCMESFET据《IEEEE.D.L.》第15卷第10期报道,CharlesE.Weitzel等已研制成一种4H-SiCMESFET。采用4H-SiC是由于它比6H-SiC高出两倍的电子迁移率。器件的...
4H-SiCMESFET with a Power Density of 2.8 W / mm at 1.8 GHz According to "IEEEE. D. L. Volume 15, Number 10, Charles E. Weitzel et al. Have developed a 4H-SiCMESFET. The use of 4H-SiC is due to its twice as high electron mobility as 6H-SiC. Device ...
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