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采用金属辅助化学刻蚀法（HF／AgNO3溶液）在单晶硅表面制备了硅纳米线阵列，深入探讨了金属辅助化学刻蚀的机理，并研究了单晶硅表面纳米线阵列的光学性质。通过扫描电子显微镜对样品的形貌进行了表征，探讨了金属辅助化学刻蚀的化学反应机理，研究了反应时间、反应温度等参数对硅纳米线形貌的影响，同时对硅表面纳米线阵列的反射率进行了测试。结果表明，硅表面纳米线阵列对可见光有很好的减反射性能，并且发现通过改变溶液浓度、延长反应时间及升高反应温度等，可以有效调节硅纳米线阵列的抗反射性能。这是由于表面引入的硅纳米线结构，不仅