【摘 要】
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采用射频等离子体化学气相沉积（RF-PECVD）技术,以SiH4和Ar的混合气体为源气体,在石英玻璃衬底上制备了硅基发光薄膜.利用场发射扫描电子显微镜（FESEM）、X射线衍射（XRD）、透射电子显
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采用射频等离子体化学气相沉积（RF-PECVD）技术,以SiH4和Ar的混合气体为源气体,在石英玻璃衬底上制备了硅基发光薄膜.利用场发射扫描电子显微镜（FESEM）、X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和傅里叶红外光谱（FTIR）对薄膜的形貌、结构和性能进行了表征,并利用发射光谱（OES）对薄膜等离子体生长过程进行了分析.研究结果表明,随着射频功率的增加,等离子体发射光谱中Hβ谱线强度激增,薄膜的红外光谱中Si—O键在1095cm-1处振动吸收峰强度减小,Si—Si键在613cm-1处特征吸收峰
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