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本文报道了用微波等离子法制备氢掺杂Ｃ６０薄膜。直流电导测量表明，室温下掺杂的电导率要比未掺杂膜的大５个量级。经５７３Ｋ温度退火后，掺杂膜的电导接近，但仍要高于本征膜的电导率，说明仍有少量的氢留在薄膜中。
氢掺杂C60薄膜的电导性质研究
【摘 要】
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本文报道了用微波等离子法制备氢掺杂Ｃ６０薄膜。直流电导测量表明，室温下掺杂的电导率要比未掺杂膜的大５个量级。经５７３Ｋ温度退火后，掺杂膜的电导接近，但仍要高于本征膜的电导率，说明仍有少
【机 构】
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兰州大学物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年4期
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