【摘 要】
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利用射频磁控溅射方法，制成纳米SiO2层厚度一定而纳米Si层厚度不同的纳米（SiO2/Si/SiO2）/p-Si结构和纳米（SiO2:A1/Si/SiO2:A1)/p-Si结构，用磁控溅射制备纳米SiO2:A1时所用的SiO2/A
【机 构】
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北京大学物理系,信息产业部电子第十三研究所GaAs集成电路国家实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目! (No.5 983 2 10 0 )&&
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利用射频磁控溅射方法，制成纳米SiO2层厚度一定而纳米Si层厚度不同的纳米（SiO2/Si/SiO2）/p-Si结构和纳米（SiO2:A1/Si/SiO2:A1)/p-Si结构，用磁控溅射制备纳米SiO2:A1时所用的SiO2/A1复合靶中的A1的面积百分比为1%。上述两种结构中Si层厚度均为1-3nm，间隔为0.2nm。为了对比研究，还制备了Si层厚度为零的样品。这两种结构在900℃氮气下退火30min，正面蒸半透明Au膜，背面蒸A1作欧姆接触后，都在正向偏置下观察到电致发光（EL）。在一定的正向偏置下
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