【摘 要】
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研究一种双金属接触的GaAs半导体探测器在14MeV中子辐照下的性能. 测量了探测器经过1012n/cm2中子辐照剂量后的反向漏电流、电荷收集效率和最小电离粒子能谱,并且与 60 Co 1.
【机 构】
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中国科技大学近代物理系,上海交通大学微电子技术研究所
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研究一种双金属接触的GaAs半导体探测器在14MeV中子辐照下的性能. 测量了探测器经过1012n/cm2中子辐照剂量后的反向漏电流、电荷收集效率和最小电离粒子能谱,并且与 60 Co 1.25MeV光子辐照的测量结果相比较. 对中子辐照引起探测器时间性能变化和辐照损伤机制进行了探讨. 并根据实验结果提出了这种双金属接触GaAs探测器灵敏层分布的一种假设,理论计算和实验数据相符合.
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