【摘 要】
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基于EET理论,研究了Al-Cu-Mg-Ag合金Ω相与基体α之间界面的价电子结构,计算了α、Mg-Ag偏聚区、Ω相空间价电子结构和Ω/Mg-Ag/α界面、Ω/α界面的价电子结构,分析了Ω/Mg-
【机 构】
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辽宁工业大学,辽宁锦州121001
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基于EET理论,研究了Al-Cu-Mg-Ag合金Ω相与基体α之间界面的价电子结构,计算了α、Mg-Ag偏聚区、Ω相空间价电子结构和Ω/Mg-Ag/α界面、Ω/α界面的价电子结构,分析了Ω/Mg-Ag/α界面价电子结构与界面性能的关系.研究表明:Ω/Mg-Ag/α界面外层Mg-Ag/α面电子密度差为16.54％,内层Ω/Mg-Ag面电子密度差为50.73％,外层的连续性好于内层;Mg-Ag层使Ω相与基体α间的界面电子密度差减小1.13％,使(111)α面上的最强共价键键合力增大14.52％、(111)α面的共价电子密度增大146.87％、(001)Ω面最强共价键键合力增大45.85％、(001)Ω面的共价电子密度增大了45.30％.Mg-Ag层增大了力相对位错滑移的阻力,减小界面两侧相平面的电子密度差,增加了界面连续性,减小了界面应力,增大了界面结合力,增大了界面稳定性,提高了合金的强韧性.
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