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提出了ＶＤＭＯＳ和双极晶体管复合而成的达林顿功率晶体管结构和工艺参数的优化设计方法，建立了设计模型，经验证设计结果和实验结果基本吻合。该研究对开发此类器件具有参考价值。
高输入阻抗达林顿晶体管的优化设计
【摘 要】
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提出了ＶＤＭＯＳ和双极晶体管复合而成的达林顿功率晶体管结构和工艺参数的优化设计方法，建立了设计模型，经验证设计结果和实验结果基本吻合。该研究对开发此类器件具有参考价值。
【机 构】
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西安理工大学自动化与信息工程学院
【出 处】
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西安理工大学学报
【发表日期】
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1998年4期
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