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利用时域有限差分方法，求解了一维半导体器件内总裁 流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准，而不是通常认为的以电子电离率为准的结论，并构造了一种准确，快捷地计算半导体器件反偏Ｉ－Ｖ特性曲线的方法。
硅二极管I—V特性及二次击穿计算
【摘 要】
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利用时域有限差分方法，求解了一维半导体器件内总裁 流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准，而不是通常认为的以电子电离
【机 构】
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常德师范学院电子学研究所
【出 处】
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常德师范学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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2000年3期
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