VHF-PECVD法制备微晶SiGe薄膜及太阳电池

• 作 者: 谷士斌 胡增鑫 张建军 孙建 杨瑞霞
• 机 构: 河北工业大学信息学院,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
• 出 处: 光电子．激光
• 发表日期: 2007年5期
• 关键词: 微晶SiGe(μc-SiGe)薄膜 太阳能电池 甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD) 喇曼光谱 microcrystalline SiGe （μ
• 基金项目: 国家自然科学基金重点资助项目（60437030）,天津市应用基础研究计划面上资助项目（043612511）,教育部留学回国人员科研启动基金资助项目（教外司留（2005）546）

以Si2H6和GeF4为源气体,用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术在不同衬底温度和功率条件下制备了SiGe薄膜材料。用喇曼光谱和扫描电子显微镜（SEM）对材料的结构进行了研究。结果表明薄膜结构随温度的升高、功率的增大逐渐由非晶SiGe（a-SiGe）转变为微晶SiGe（μc-SiGe）材料。将这种材料应用于μc-SiGe薄膜太阳能电池中,电池结构为玻璃/SnO2/p-μc-Si/i-μc-SiGe/n-μc-Si/Al,首次获得效率η=4.2%的μc-SiGe薄膜太阳能电池,开路电