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文中介绍了在多孔基底MCP输入面上制作免污离子壁垒膜层的新工艺的基本原理和方法，给出了膜层成分分析和带膜MCP特性测试结果。并初步讨论了电子通过与膜最的关系，提出了尚需深入探讨的具体问题。
在多孔基底上形成免污离子壁垒超薄膜技术的新途径
【摘 要】
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文中介绍了在多孔基底MCP输入面上制作免污离子壁垒膜层的新工艺的基本原理和方法，给出了膜层成分分析和带膜MCP特性测试结果。并初步讨论了电子通过与膜最的关系，提出了尚需深
【机 构】
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长春光学精密机械学院应用理学分院
【出 处】
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长春光学精密机械学院学报
【发表日期】
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2000年4期
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