GaInAsP/InP LED透镜的研制

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带有透镜结构的发光管有利于提高器件的外量子效率和耦合效率。InP衬底对1.3μm波长范围的光发射是透明的,因而可制造带透镜结构器件。本文研究了4%CH_3COOH体系腐蚀液和H_3PO_4:HCI体积比为1:3腐蚀液的腐蚀特性,比较了二者的活化能和腐蚀液的温度,状态和衬底晶向等对腐蚀速率的影响。并用二步腐蚀法在外延片的InP衬底上制成了带有透镜的InAsP/InP发光管。其曲率半径为160—170μm。该器件在彩色录像传输系统中的应用效果良好。 LED with a lens structure is conducive to improving the device’s external quantum efficiency and coupling efficiency. The InP substrate is transparent to light emission in the wavelength range of 1.3 μm, so that a device with a lens structure can be manufactured. In this paper, the corrosion properties of 4% CH_3COOH system and 1: 3 H_3PO_4: HCI solution were investigated. The effects of activation energy, etching temperature, state and substrate orientation on the corrosion rate were compared . The InAsP / InP LED with lens was fabricated on the InP substrate of epitaxial wafer by two-step etching. Its radius of curvature is 160-170 μm. The device in the color video transmission system works well.
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