Development of 17 kV 4H-SiC PiN diode

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The design, fabrication, and electrical characteristics of a 4H-SiC PiN diode with breakdown voltage higher than 17 kV are presented. The three-zone JTE has been used in the fabrication. Numerical simulations have been performed to optimize the parameters of the edge termination technique. The epilayer properties of the N-type are 175 m with a doping of 2 ×10~(14) cm ~(-3). With the three-zone JTE, a typical breakdown voltage of 17 kV has been achieved. The design, fabrication, and electrical characteristics of a 4H-SiC PiN diode with breakdown voltage higher than 17 kV are presented. The three-zone JTE has been performed to optimize the parameters of the edge termination The epilayer properties of the N-type are 175 m with a doping of 2 × 10 ~ (14) cm -3. With the three-zone JTE, a typical breakdown voltage of 17 kV has been achieved.
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