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本文报道了液晶显示用非晶硅薄膜晶体管的有关材料和器件的制造。为满足实用要求，着重了其关键材料－非晶硅薄膜以及非晶氮化硅薄膜的制作条件和主要性能。经改进，非晶硅薄膜的缺陷态密度达４．１３×１０＾１５ｃｍ＾－３，场效应迁移率为０．８４ｃｍ＾２ｖ＾－１ｓ＾－１。叙述了非晶硅薄膜晶体管的特性。其结果是开并比≥１０＾６，阀值电压Ｖｔ＝２．５Ｖ，ＶＬＣ达到９０％时的上升时间℃６０μｓ。