水热法ZnO晶体特征研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lzhwei002

【摘要】

：

ZnO具有优良的综合性能使其成为极有前途的下一代光电材料,水热法是一种重要的生长ZnO晶体的方法.本文对水热法生长的面积约150mm2的ZnO晶体进行了报道,研究了晶体不同方向的

【作者】

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宋词杭寅张昌龙徐军顾书林夏长泰周卫宁

【机构】

：

中国科学院上海光学精密机械研究所,桂林矿产地质研究院,南京大学物理系,中国科学院上海硅酸盐研究所

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

：

ZNO晶体光致发光晶体生长半导体 ZnO crystal photoluminescence crystal growth semiconductor

【基金项目】

：

国家科技攻关项目

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ZnO具有优良的综合性能使其成为极有前途的下一代光电材料,水热法是一种重要的生长ZnO晶体的方法.本文对水热法生长的面积约150mm2的ZnO晶体进行了报道,研究了晶体不同方向的生长速度、形貌特征和光学性能.X射线摇摆曲线表明晶体的质量较好.对于光学性质的分析表明晶体生长时加入H2O2能显著提高晶体的质量.494nm附近的发光带可能与氧空位有关.520nm的发光可能与Na或者Si所形成的杂质能级跃迁有关.

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