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我们研制的Ag Br单晶溴离子敏感半导体传感器(简称Br~-—ISFET),是在场效应晶体管的绝缘栅上制备一层Ag Br单晶敏感层。这种传感器,灵敏度高,稳定性好,使用寿命长,且与一般溴离子选择电极比较,还具有多功能化,全固体化和易集成化等特点。特别适应于生物,医学,航天,遥测和摇控等方面。
溴化银单晶半导体传感器的研制
【摘 要】
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我们研制的Ag Br单晶溴离子敏感半导体传感器(简称Br~-—ISFET),是在场效应晶体管的绝缘栅上制备一层Ag Br单晶敏感层。这种传感器,灵敏度高,稳定性好,使用寿命长,且与一般溴
【出 处】
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化学传感器
【发表日期】
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1988年2期
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