【摘 要】
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基于金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的高质量A1GaN／GaN异质结构材料，采用选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN增强型／耗尽型（E／D）HEMT器件的集成，应用直接耦合场效应管逻辑（DCFL）设计并
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基于金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的高质量A1GaN／GaN异质结构材料，采用选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN增强型／耗尽型（E／D）HEMT器件的集成，应用直接耦合场效应管逻辑（DCFL）设计并研制GaNE／DHEMT集成逻辑门电路。通过对GaNE／D器件性能以及逻辑门电路性能的分析讨论，研究了GaNE／D器件性能对逻辑门电路性能的影响。同时还对选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaNE／D器件存在的问题进行了分析讨论。
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