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基于自主开发的薄膜SOI高低压兼容工艺，研制出一种64住输出的薄膜SOI PDP高压寻址驱动集成电路。测试结果显示，该电路具有80V驱动电压和20mA输出电流，电路时钟频率大于40MHz。
基于薄膜SOI的PDP高压寻址驱动集成电路
【摘 要】
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基于自主开发的薄膜SOI高低压兼容工艺，研制出一种64住输出的薄膜SOI PDP高压寻址驱动集成电路。测试结果显示，该电路具有80V驱动电压和20mA输出电流，电路时钟频率大于40MHz。
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2009年4期
【基金项目】
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“十一五”预研项目资助（51308020201）,电子科技大学校青年基金资助项目（JX0831）
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