InGaAs／InP短时间液相外延层厚度与生长时间的数学拟合

来源 :半导体杂志 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tuaa29801

【摘要】

：

在液相外延（ＬＰＥ）工艺中，采用常规的过冷降温技术，在６４０℃下进行短时间的液相外延ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的生长实验，用扫描电镜测量不同生长时间下的外延层厚，对实验曲线进行数学拟合，得到ｄ＝０．２＋０．１３２ｔ０．７５７５的短时间生长厚度与时间

【作者】

：

汪开源曹康敏

【机构】

：

东南大学电子工程系

【出处】

：

半导体杂志

【发表日期】

：

1994年3期

【关键词】

：

液相数学半导体 INGAAS/INP LPE

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在液相外延（ＬＰＥ）工艺中，采用常规的过冷降温技术，在６４０℃下进行短时间的液相外延ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的生长实验，用扫描电镜测量不同生长时间下的外延层厚，对实验曲线进行数学拟合，得到ｄ＝０．２＋０．１３２ｔ０．７５７５的短时间生长厚度与时间的表达式．结果表明，短时间ＬＰＥ生长ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ相类似，有着相同的初始快速生长阶段．

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