论文部分内容阅读
研究了Si基富Ge含量的Si1-x-yGexCy异质结构的热退火地为，采用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）法在Si(100）衬底上淀积一层厚度为170nm的Si1-x-yGexCy薄膜（x-0.7,y-0.15)，并在其上覆盖－Ge层，将样品分别在650度和800度下进行N2氛围下热退火20min。用拉曼谱（Raman)，俄歇电子能谱（AES）以及X射线光电子能谱XPS等方法对样品进行研究。研究结果表明，低温PECVD法生长的Si1-x-yGexCy薄膜是一种亚稳结构，Ge/Si1-x-yGexCy