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日前，Vishay宣布推出第四代600VE系列功率MOSFET的首颗器件——SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600VE系列MOSFET低30％，为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。
Vishay推出最新第4代600VE系列功率MOSFET
【摘 要】
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日前，Vishay宣布推出第四代600VE系列功率MOSFET的首颗器件——SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600VE系列MOSFET低30％，为通信、工业和企业级
【出 处】
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半导体信息
【发表日期】
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2017年2期
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