【摘 要】
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本文简要地介绍了H~+-ISFET(氢离子敏场效应晶体管)的基本结构和工作原理,分析了目前多数常规H~+-ISFET在结构上的不足之处和对实际pH值测量结果的不利影响,提出了一种实用型
【机 构】
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东南大学微电子中心,东南大学微电子中心,东南大学微电子中心 南京 210018,南京 210018,南京 210018
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本文简要地介绍了H~+-ISFET(氢离子敏场效应晶体管)的基本结构和工作原理,分析了目前多数常规H~+-ISFET在结构上的不足之处和对实际pH值测量结果的不利影响,提出了一种实用型背面接触式H~+-ISFET。同时,文中对该结构在版图设计和工艺设计中的有关问题,进行了有益的探讨。最后指出:这种背面接触式H~+-ISFET在实际pH值的测量中有较好的实用价值。
This paper briefly introduces the basic structure and working principle of H ~ + -ISFET (hydrogen ion sensitive field effect transistor), analyzes the structural shortcomings of most conventional H ~ + -ISFETs and analyzes the actual pH measurement results Adverse effects, put forward a practical back contact H ~ + -ISFET. At the same time, the paper discusses some useful issues about the structure in layout design and process design. Finally, it is pointed out that this back-contact H ~ + -ISFET has good practical value in the measurement of actual pH value.
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