晶圆制造人才告急,校企联动与在职培训缺一不可

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  摘要:近日,明导公司与北京理工大学合作创建了光电联合实验室。合作仪式期间,部分专家学者谈到目前晶圆制造人才非常缺乏,人才培养迫在眉睫。本文网络版地址:http://www.eepw.com.cn/article/248888.htm
  关键词:晶圆;制造;人才;培养
  DOI: 10.3969/j.issn.1005-5517.2014.6.003
  人才告急
  很多人认为半导体是钱的问题,其实钱不是主要问题,最主要的是人才。因为任何事情都是由人去做的。武汉新芯集成电路制造公司(XMC)行政管理处战略与业务发展高级副总李平介绍了该公司现状。武汉新芯作为全国三家拥有12英寸晶圆厂产能的工厂之一,现在有一千多名员工,其中工程师约三百多人,包括维护工程师、设备工程师等。按照武汉新芯制订的发展规划,未来产能将扩大10倍,将需要五千名工程师。“人才是一个迫在眉睫、必须要解决的问题。”
  技术门槛高,人才培养难
  实际上,政府也意识到人才的重要性,教育部已规划新建九个微电子学院,专门来解决未来微电子业的人才问题。
  在国家重视的同时,校企合作也非常重要。明导(Mentor Graphics)公司中国区总经理范明辉女士称,根据协议,明导将资助北理工光电学院的课程开发、研究生学位课程专业研讨会和相关研究,使学生能深入了解前沿光电技术,如光学邻近校正(OPC)和分辨率增强技术(RET)。而“此次合作的OPC、RET,明导在中国的市占率达百分之百。”
  不过,在合作过程中,明导发现中国的晶圆厂客户和合作伙伴找人才很难找,因为门槛特别高,不光在学校需要学很多专业知识,到企业后还得花一年甚至几年实践才能真正掌握。所以明导与高校合作建实验室,希望早日把工业界的知识带进学校。
  北京理工大学光电学院的李艳秋博导也认为教学难度大,需从知识传授、实践、研究方面展开。
  光电学院已在研究生的课程里设置了OPC、RET、高分辨率成像等光刻基础技术知识。
  除此之外,还有上机实验课,让学生具体去设计光刻的高良率、高保真、高分辨率的掩模结构,以及OPC的结果;并让学生到企业实习,例如北理工光电学院正有三名学生在明导上海机构里实习,“这样一方面使学生直接参与企业在中国的研发以及技术支撑活动,同时使学生们也能得到企业的培养。”
  在研究方面,“我们合作的内容围绕着RET,还在不断地丰富和拓展。”具体地,合作的是分辨率增强技术(RET)中的OPC,但已拓展到了包含掩模与光源、设备的协同设计(SMO),另外还考虑了偏振(SMPO),接下来还会涉及到设备也可能不是理想的,有相差,如何补偿相差,来让工艺(即生产线上做出来的芯片的光刻图形)保真,使芯片的良率更高等课题。
  企业在职培训也需重视
  但是,从学校培养出的人才,通常需要很多年的工作经验,才能够真正达到最佳状态。因此企业的在职培训也刻不容缓。
  “社会上对人才培养有个误区。学校培养学生的是知识和能力,而不是去了岗位就是一个技能型的产业人员。”北理工的李艳秋博导指出。在国外,员工入职后要在企业进行重新培养。针对不同的岗位,比如政府、企业或研究所,需要重新打造,每个阶段应该都有不同的伯乐去发现和培养人才。
  例如,李艳秋博导曾在一家日本著名的光学公司工作过,进入这家企业的技术人员都是光学科班出身,既使这样,该公司每年都要给老员工培训两个月,像应用光学、物理光学等。培训教师有的是公司内部的人,有的是从学校请来的。因此,咱们的本土企业也应该有这种观念。
  28nm后的光刻与传统不同
  光刻技术正在发生质变。中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心韦亚一研究员说,新的光刻技术研发的模式改变是从28nm以后开始发生的,而我国现在最先进的工艺是28nm,再往下走是22/20、16/14nm节点。因此需要新型光刻人才。
  具体地,集成电路的技术等级,例如45/40nm、32nm等,实际上是由光刻来保证的。从技术节点看,我国最先进的和国外最先进的水平相差约两到三个技术节点。例如我国最新的是28nm制程,由SMIC(中芯国际)在上海试产,才刚刚开始。而国外Intel公司14nm已开始试产。
  28nm以后,整个光刻技术研发的方法论跟传统不同,变成以计算光刻为核心的研发循环,其中软件起关键作用。此时光刻机里所有参数都可以事先输入到软件中,对光刻机和光刻材料进行仿真,这样就可以事先知道实验结果如何。而且在仿真过程中可以修改工艺,再进行循环、计算,最后找到最佳条件。
  可见,高校和企业均肩负了培养新型光刻人才的使命。
  小结
  强大的产业才能不受制于人。我国集成电路制造业的宏伟蓝图需要大批人才,这需要高校传授给学生最先进的知识,需要企业重视员工的再培训。人才培养也需要各种模式创新,明导和北理工的企校合作,以及北理工在教学方面的探索,值得借鉴和推广。
  参考文献:
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