【摘 要】
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介绍了采用混合物理化学气相法（HPCVD）工艺以乙硼烷（B2H6）为硼源在热蒸发镀膜机内以不同的沉积温度在（0001）取向的Al2O3单晶基底上制备了MgB2超导薄膜,采用扫描电子显微镜（SEM）、X射
【机 构】
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贵州大学理学院,贵州省微纳电子与软件技术重点实验室
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介绍了采用混合物理化学气相法（HPCVD）工艺以乙硼烷（B2H6）为硼源在热蒸发镀膜机内以不同的沉积温度在（0001）取向的Al2O3单晶基底上制备了MgB2超导薄膜,采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和标准四线法电阻测量分析了沉积温度对生成的MgB2薄膜的表面形貌、晶体结构、超导转变温度的影响。结果表明,随着基底温度的升高,MgB2相结晶程度提高,c轴取向程度增强,薄膜整体性能显著提高。
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