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通过均相沉淀法制各了不同粒径的CeO2超细粉体，并配制成不同氧化剂浓度和pH值的抛光液对GaAs晶片进行化学机械抛光。研究了不同粒径CeO2磨料对GaAs晶片的抛光效果，并对GaAs晶片化学机械抛光材料去除机理进行了探讨。结果表明，使用超细CeO2磨料最终存1μm×1μm的范围内达到了微观表面粗糙度Ra值为0．740nm的超光滑表向，而且抛光后表向的微观起伏史趋于平缓。实验证明，超细CeO2磨料对GaAs晶片具有良好的抛光效果。