【摘 要】
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利用密度泛函理论研究了NH3在完整和含有缺陷的硼纳米管上的吸附行为以及相关电子性质.计算结果表明,对于α硼纳米管,在不同的直径和手性条件下,NH3均倾向于吸附在配位数为6的顶位上.电子结构计算结果表明,NH3能够吸附在纳米管表面主要是由于N和B原子产生了较强的相互作用.表明硼纳米管是一种潜在的NH3气气敏材料.
【机 构】
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山东大学晶体材料研究所,山东大学光学高等研究中心
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利用密度泛函理论研究了NH3在完整和含有缺陷的硼纳米管上的吸附行为以及相关电子性质.计算结果表明,对于α硼纳米管,在不同的直径和手性条件下,NH3均倾向于吸附在配位数为6的顶位上.电子结构计算结果表明,NH3能够吸附在纳米管表面主要是由于N和B原子产生了较强的相互作用.表明硼纳米管是一种潜在的NH3气气敏材料.
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