有机半导体NPB空穴迁移率的快速确定

• 作 者: 吴有智 马继晶 张运虎 张材荣 张定军
• 机 构: 省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室,兰州理工大学材料科学与工程学院,兰州理工大学理学院
• 出 处: 兰州理工大学学报
• 发表日期: 2014年4期
• 关键词: 有机半导体 NPB 空穴迁移率 空间电荷

以典型有机半导体材料——胺类衍生物NPB（N,N’-diphenyl-N,N’-bis（1-naphthyl）（1,1’-biphenyl）-4,4’diamine）为空穴传输层,采用MoO3为阳极缓冲层制备结构简单的只有空穴传输的单载流子器件.以空间电荷理论为基础,利用从器件电流-电压关系变换而来的一个特殊而简单的函数确定出电场强度在600~1 000V1/2cm^-1/2时,NPB空穴迁移率位于1.1×10^-5~3.5×10^-4 cm2 V^-1s^-1,这与文献报导采用其他方