【摘 要】
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采用提拉法生长了Ce∶YAG单晶,并以Ce∶YAG单晶取代传统Ce∶YAG荧光粉用于制备白光发光二极管（LED）,研究了Ce∶YAG单晶厚度的变化对其色坐标、亮度、发光效率和色温的影响。由
【机 构】
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同济大学材料科学与工程学院,温州大学化学与材料科学学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(51172165)
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采用提拉法生长了Ce∶YAG单晶,并以Ce∶YAG单晶取代传统Ce∶YAG荧光粉用于制备白光发光二极管（LED）,研究了Ce∶YAG单晶厚度的变化对其色坐标、亮度、发光效率和色温的影响。由于460 nm蓝光芯片激发的Ce∶YAG单晶白光LED缺少红光成分,采用流延法将红色荧光粉CaAlSiN3∶Eu^2＋涂覆在Ce∶YAG单晶衬底上制备白光LED。制备的白光LED色度随红粉含量的变化由冷白光逐渐向暖白光区域移动,色温逐渐降低、显色指数上升。研究结果表明Ce∶YAG单晶复合红色荧光粉的方式可以应用于大功率L
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